Transphorm公司(Nasdaq: TGAN)与杭州铂科电子(Boco Electronics)日前宣布,铂科电子3.6kW电源采用了Transphorm的SuperGaN® FET器件。这款高可靠性12伏交流转直流电源峰值效率超过96%,可在各种复杂和极端严苛要求的应用环境下工作,如算力电源、高性能数据中心系统。
Transphorm的氮化镓功率器件专为高功率任务关键型应用而设计。铂科电子的这款电源在拥有专利的无桥图腾柱PFC拓扑结构中采用了Transphorm的SuperGaN器件。与铂科电子传统PFC架构电源相比,功效等级提高了近一个百分点,即功耗降低36瓦。使用图腾柱PFC拓扑结构和TO-247封装的GaN FET,还减少了整个电源系统使用的电子组件,从而降低整体系统成本,以更低系统成本和更少能耗(Watts)实现了更高算力(Bits)。铂科电子关注的应用领域以能源消耗极高著称,抬高了碳排放(CO²)。Transphorm SuperGaN技术的高效能有助于减少这方面的环境污染排放,有望在2022年一年内减少相当于50,000多公吨的二氧化碳排放。
铂科电子首席执行官尹国栋(Golden Yin)表示:
高性能的算力应用、数据中心领域需要7天24小时不间断运转。有鉴于此,我们的客户都在寻求更高功率、更高效率、更高可靠性的电源,为这些能耗密集型应用提供支持。
Golden Yin介绍说:”我们相信,结合铂科电子强大的设计能力与先进的氮化镓解决方案,我们可以满足客户的需求。如果说氮化镓是合理的技术选项,Transphorm的SuperGaN正是我们所需要的器件。事实证明,与其它替代方案相比,Transphorm SuperGaN能够更好地适用于更高的功率范围,同时具备此类工业应用所要求的更高现场可靠性。”
此款电源新产品使用Transphorm经JEDEC认证的TP65H035G4WS。
TP65H035G4WS是一款650伏常关型器件,具有35毫欧导通电阻,属于Transphorm的SuperGaN Gen IV系列产品之一,器件可提供业界领先的±20伏栅极稳健性,并拥有业界顶级的4伏抗扰度阈值。凭借更快的开关速度和更低的损耗,Transphorm的氮化镓器件取代了铂科电子在现有类似电源中使用的传统MOSFET。此外,使用该氮化镓功率管,铂科电子能够采用先进的图腾柱PFC设计架构代替全桥交错PFC或交错DCM PFC,提高了系统的功率密度,从而留出额外的空间用于增强冷却气流。尤其值得指出的是,得益于Transphorm器件所固有的易驱动性和可设计性,该电源的开发仅用了六个月时间。
Transphorm亚太区销售副总裁Kenny Yim表示:
算力电源等大功耗应用在解决复杂数学问题时需要处理大量的数据,从硬件到耗能,此类应用的支持成本越来越高昂。
Kenny Yim介绍道:“事实上,我们看到相关高功率应用系统的制造商转向氮化镓解决方案,以获取更好的性能和效率,应对更高的电价。我们将继续加强并改进我们的氮化镓平台,我们很自豪能为这一趋势的发展提供产品和技术支持。”
在铂科电子的产品开发过程中,Transphorm发挥的作用不仅仅是单纯的晶体管供应商。Transphorm公司的技术支持团队与铂科电子的工程团队一起合作进行了设计方案评估,以确保氮化镓技术最大限度地发挥其卓越的功率输出性能。
据了解,铂科电子的这款3.6kW电源新产品目前已经上市。
(此文章转载于TransphormGaN氮化镓微信公众号)