GaN公司纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布将进军更高功率市场，成立了一个新设计中心，致力于将下一代 GaN 功率IC和相关的高效、高功率密度系统引入数据中心。

新设计中心位于中国杭州，拥有一支由电力系统设计师组成的团队，他们具有电气、热力和机械设计、软件开发以及完整的模拟和原型设计能力。纳微表示，新团队将在全球范围内为数据中心电力客户提供支持，从概念到原型，再到全面验证和批量生产。

该设计中心将为数据中心电源开发原理图、布局和固件。此外，还将针对磁性材料、热衬底和其他材料建立多种合作伙伴关系，以帮助客户优化其电源设计。

纳微估计，从传统硅材料升级到新GaN材料，可以节省高达40%的能源，并为全球范围内的数据中心每年节省19亿美元的电力成本。数据中心电源按严格的效率标准评级，极端的“钛”级要求在 50% 的负载下达到 96% 的效率。这些新的基准不仅由GaN技术支持，而且还是欧盟“2009/125/EC指令，2019年附件”等法规的要求，该指令规定从2023年1月1日起，新的数据中心电源必须达到“钛”级效率。

纳微中国副总裁兼总经理查莹杰表示：“纳微数据中心团队拥有GaN功率IC的新技术能力，以及实际的电源设计和验证经验。第一个验证的是 1.2kW的‘钛+’设计，它不仅超过了数据中心电源的最高效率标准，而且还经过价值工程设计，成本低于传统硅设计。在此之后，就进入了2.2 kW和3kW平台。”

1.2kW的设计是与Boco和杭州FRD合作开发的，目前该电源正在为2022年量产接受评估。Boco首席执行官 Golden Yin 表示：“GaNFast 电源 IC 是易于使用、数字输入、电源输出的构建模块，它缩短了原型设计和首次正确设计需要的时间。” FRD 电源事业部总经理Ray Gu表示：“GaNFast 电源 IC 对于实现‘钛+’效率至关重要，这是下一代数据中心电源的一个重要里程碑。这将有助于 FRD 加强其产品组合，并为企业客户提供全面的解决方案” .

联合创始人兼首席执行官 Gene Sheridan 表示：“随着数据和通信继续呈指数级增长，将数据中心升级到GaNFast电源IC，以降低成本、最大限度地节省能源并减少CO₂排放就变得至关重要。作为一个重要的扩张市场，我们在最近的 IPO 融资之前进行了招募，对我们数据中心设计团队的这种信心已经产生了回报。通过与世界各地的数据中心工程师合作，我们可以加速采用基于GaN的数据中心，并对节能、电力成本和 CO₂排放产生重大影响。”

制造 GaN 功率 IC 的 CO₂排放量比制造硅芯片低 10 倍，考虑到使用效率、材料尺寸和重量优势，那么每出货一个GaN 功率 IC 可以节省 4 kg CO₂。总体而言，到 2050 年，GaN 有望实现每年减少2.6亿吨的CO₂排放量。

（此文章转载于化合物半导体杂志）